STMicroelectronics
STDRIVEG212QTR
主要参数包括电源电压（最小值） 10.3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 220 V、输出电流 1.8 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-18 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- QFN-18
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
22 项参数- 产品
- Gate Driver
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 3 Output
- 输出电流
- 1.8 A
- 电源电压范围
- 10.3～18 V
- 配置
- Inverting, Non-Inverting
- 上升时间
- 22 ns
- 下降时间
- 13 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- TH
- 开发套件
- EVLSTDRIVEG212
展开更多参数（10 项）
- 最大关断延迟时间
- 65 ns
- 最大导通延迟时间
- 65 ns
- 湿敏性
- 是
- 工作电源电流
- 900 uA
- 输出电压
- 220 V
- 传播延迟（最大值）
- 65 ns
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 4.8 Ω
- 关断功能
- Shutdown
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 商品名称
- STDRIVE
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。