ChipSourceHub 美芯科技

ROHM Semiconductor

BR25G128FVM-3GTR

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kB、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.6~5.5 V、接口类型 SPI,采用 MSOP-8 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
EEPROM
封装
MSOP-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

11 项参数
存储容量
128 kB
存储组织结构
16 k x 8
接口类型
SPI
数据保持时间
100 Year
最大时钟频率
20 MHz
电源电流(最大值)
8 mA
电源电压范围
1.6~5.5 V
工作温度范围
-40~85 °C
工作电源电流
2 uA
工作电源电压
1.6~5.5 V
型号别名
BR25G128FVM-3

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BR25G128FVM-3GTR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技