STMicroelectronics
BULB49DT4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 D2PAK-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BULB49D
- 封装
- D2PAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 450 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 850 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 10 V
- 最大直流集电极电流
- 5 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 高度
- 4.6 mm (Max)
- 长度
- 10.4 mm (Max)
- 宽度
- 9.35 mm (Max)
- 耗散功率（Pd）
- 80000 mW
- 单件重量
- 0.070548 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。