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ROHM Semiconductor

DTC143TMT2L

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 VMT-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
DTC143TM
封装
VMT-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻
4.7 kOhms
最小直流电流增益(hfe)
100
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
150 mW
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
600
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
高度
0.5 mm
展开更多参数(4 项)
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
型号别名
DTC143TM
单件重量
0.000388 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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