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MMBZ5248ELT1G

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 18 V、耗散功率(Pd) 225 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 21 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
二极管
产品系列
MMBZ5248E
封装
SOT-23-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

18 项参数
稳压电压(Vz)
18 V
耗散功率(Pd)
225 mW
电压容差
5 %
最大反向漏电流(Ir)
100 nA
稳压管阻抗(Zz)
21 Ω
工作温度范围
-65~150 °C
配置
Single
测试电流
7 mA
组装国家或地区
中国
晶圆制造国家或地区
马来西亚
原产国家或地区
马来西亚
高度
1 mm
展开更多参数(6 项)
反向电流(Ir)
100 nA
长度
2.9 mm
正向电压(Vf)
900 mV
宽度
1.3 mm
稳压管电流
100 nA
单件重量
0.001093 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMBZ5248ELT1G 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技