WeEn Semiconductors
NCR100Q-6MX
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 0.1 mA、通态有效值电流（It RMS） 0.8 A、正向电压（Vf） 1.7 V、最大栅极峰值反向电压 5 V、门极触发电压（Vgt） 0.7 V，采用 SOT-89-3 封装。
基本资料
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- WeEn Semiconductors
- 产品类别
- SCRs
- 封装
- SOT-89-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 额定重复断态电压（VDRM）
- 600 V
- VDRM 下断态漏电流（IDRM）
- 0.1 mA
- 通态有效值电流（It RMS）
- 0.8 A
- 正向电压（Vf）
- 1.7 V
- 最大栅极峰值反向电压
- 5 V
- 门极触发电压（Vgt）
- 0.7 V
- 门极触发电流（Igt）
- 100 uA
- 最大维持电流（Ih）
- 5 mA
- 最大工作温度
- + 125 C
- 非重复通态电流
- 9 A
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。