GeneSiC Semiconductor
MBR50080CTR
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 500 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V、正向电压（Vf） 0.88 V，采用 Module 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- GeneSiC Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- MBR500
- 封装
- Module
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 产品
- Schottky Diodes
- 正向电流（If）
- 500 A
- 重复反向电压（Vrrm）
- 80 V
- 正向电压（Vf）
- 0.88 V
- 正向浪涌电流（Ifsm）
- 3500 A
- 技术
- Si
- 反向电流（Ir）
- 1 uA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 工作温度范围
- - 40 C to + 150 C
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。