ON Semiconductor
NCV8406ADTRKG
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Low Side、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DPAK-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- NCV8406A
- 封装
- DPAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 连续漏极电流（Id）
- 7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 210 mOhms
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 2.31 W
- 配置
- Single, Self-Protected
- 认证等级
- AEC-Q100
- 产品
- Driver ICs - Various
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
展开更多参数（4 项）
- 类型
- Low Side
- 下降时间
- 692 ns
- 上升时间
- 486 ns
- 单件重量
- 0.012381 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。