STMicroelectronics
STGIB8CH60TS-L
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.91 V、25°C 时连续集电极电流 12 A，采用 SDIP2B-26 封装。
基本资料
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- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- STGIB8CH60TS-L
- 封装
- SDIP2B-26
- 安装方式
- 通孔安装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- 3-Phase
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 600 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.91 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 12 A
- 耗散功率（Pd）
- 50 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 技术
- Si
- 商品名称
- SLLIMM
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。