Vishay
SQJB02ELP-T1_JE3
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 7.5 mOhms，采用 PowerPAK SO-8L 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Vishay
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- SQJB
- 封装
- PowerPAK SO-8L
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 40 V
- 连续漏极电流（Id）
- 30 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 7.5 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.2 V
- 栅极电荷（Qg）
- 21 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 27 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（1 项）
- 原产国家或地区
- 中国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。