STMicroelectronics
A2F20M65W3-FC
主要参数包括类型 SiC Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 58 A、漏源导通电阻（Rds On） 34.5 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 22 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4.2 V，采用 ACEPACK 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- ACEPACK
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 连续漏极电流（Id）
- 58 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 34.5 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.2 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 高度
- 12 mm
- 长度
- 62.8 mm
- 产品
- MOSFET Modules
- 类型
- SiC Power MOSFET
- 宽度
- 56.7 mm
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 1.481506 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。