Renesas Electronics
RMLV0408EGSP-4S2#CA1
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、访问时间 45 ns。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- RMLV0408E
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
11 项参数- 存储容量
- 4 Mbit
- 存储组织结构
- 512 k x 8
- 访问时间
- 45 ns
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 2.7～3.6 V
- 电源电流（最大值）
- 25 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 组装国家或地区
- 中国台湾
- 晶圆制造国家或地区
- 日本
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。