Diodes Incorporated
ZXTN5551ZTA
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-89-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- ZXTN555
- 封装
- SOT-89-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 160 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 180 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 最大直流集电极电流
- 0.6 A
- 增益带宽积（fT）
- 130 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 80 at 1 mA, 5 V
- 高度
- 1.6 mm
- 长度
- 4.6 mm
- 宽度
- 2.6 mm
展开更多参数（3 项）
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 1200 mW
- 单件重量
- 0.001834 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。