Microchip Technology
MSC060SMA070SCT/R
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 48 A，采用 PSMT-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- PSMT-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
18 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 700 V
- 连续漏极电流（Id）
- 48 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 75 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 56 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 215 W
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Single
展开更多参数（6 项）
- 下降时间
- 7 ns
- 上升时间
- 7 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 19 ns
- 典型导通延迟时间
- 10 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。