Central Semiconductor
2N4125 TIN/LEAD
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N4125
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 4 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 400 mV
- 耗散功率（Pd）
- 625 mW
- 增益带宽积（fT）
- 200 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 连续集电极电流
- 200 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50 at 2 mA, 10 V
展开更多参数（1 项）
- 最大直流电流增益（hFE）
- 200 at 2 mA, 10 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。