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VORAGO

HS512K16-DA1F0E

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最大值) 1.65 V、电源电压(最小值) 1.35 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Synchronous,采用 Die 封装。

基本资料

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制造商
VORAGO Technologies
品牌
VORAGO
产品类别
SRAM
产品系列
HS512K16
封装
Die
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
存储容量
8 Mbit
存储组织结构
512 k x 16
访问时间
12 ns, 17 ns
接口类型
Parallel
电源电压范围
1.35~1.65 V
电源电流(最大值)
293 mA
最大工作温度
+ 150 C
存储器类型
SDR
类型
Synchronous
商品名称
HardSIL

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

HS512K16-DA1F0E 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技