Taiwan Semiconductor
BAT54SD-G RF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 SOT-363-6 封装。
基本资料
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- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- BAT54SD-G
- 封装
- SOT-363-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 产品
- Schottky Diodes
- 正向电流（If）
- 100 mA
- 重复反向电压（Vrrm）
- 30 V
- 正向电压（Vf）
- 1 V
- 正向浪涌电流（Ifsm）
- 600 mA
- 配置
- Single
- 技术
- Si
- 反向电流（Ir）
- 2 uA
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 反向恢复时间（trr）
- 5 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。