WeEn Semiconductors
BTA2008W-600D,135
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 800 mA、非重复通态电流 9.9 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 0.1 mA、通态电压 1.35 V、最大维持电流（Ih） 10 mA，采用 SOT-223-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- WeEn Semiconductors
- 产品类别
- Triacs
- 封装
- SOT-223-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 通态有效值电流（It RMS）
- 800 mA
- 非重复通态电流
- 9.9 A
- 额定重复断态电压（VDRM）
- 600 V
- VDRM 下断态漏电流（IDRM）
- 0.1 mA
- 通态电压
- 1.35 V
- 最大维持电流（Ih）
- 10 mA
- 门极触发电压（Vgt）
- 0.9 V
- 门极触发电流（Igt）
- 5 mA
- 最大工作温度
- + 125 C
- 型号别名
- 934066005135
- 单件重量
- 0.007055 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。