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Bourns

TISP4011H1BJR-S

主要参数包括转折电压(VBO) 9 V、最大转折电流(IBO) 200 mA、额定重复断态电压(VDRM) 5.25 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 1 uA、最大维持电流(Ih) 60 mA、断态电容(CO) 110 pF,采用 DO-214AC-2 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Bourns
产品类别
Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)
产品系列
TISP40xxH1BJ
封装
DO-214AC-2
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
转折电压(VBO)
9 V
最大转折电流(IBO)
200 mA
额定重复断态电压(VDRM)
5.25 V
VDRM 下断态漏电流(IDRM)
1 uA
最大维持电流(Ih)
60 mA
断态电容(CO)
110 pF
额定电流
5 A
通态有效值电流(It RMS)
500 A
商品名称
TISP
单件重量
0.003527 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TISP4011H1BJR-S 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技