ROHM Semiconductor
RS1G180MNTB
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 18 A，采用 HSOP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- HSOP-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 40 V
- 连续漏极电流（Id）
- 18 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 7 mOhms
- 配置
- Single
- 晶体管类型
- 1 N-channel
- 型号别名
- RS1G180MN
- 单件重量
- 0.002490 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。