Texas Instruments
TLE2022IDR
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Precision Amplifiers
- 产品系列
- TLE2022
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
27 项参数- 通道数
- 2 个通道
- 增益带宽积（GBP）
- 1.7 MHz
- 压摆率（SR）
- 0.5 V/us
- 共模抑制比（CMRR）
- 85 dB to 110 dB
- 输入偏置电流（Ib）
- 70 nA
- 输入失调电压（Vos）
- 0.6 mV
- 输入电压噪声密度
- 21 nV/sqrt Hz
- 电源电压范围
- 4～40 V
- 工作电源电流
- 200 uA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 关断功能
- No Shutdown
- 放大器类型
- Low Offset Amplifier
展开更多参数（15 项）
- 高度
- 1.58 mm
- 输入类型
- Rail-to-Rail
- 长度
- 4.9 mm
- 产品
- Precision Amplifiers
- 供电类型
- Single, Dual
- 技术
- BiCOM
- 宽度
- 3.91 mm
- 双电源电压
- +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
- 输入电流噪声密度
- 0.1 pA/sqrt Hz
- 最大双电源电压
- +/- 20 V
- 最小双电源电压
- +/- 2 V
- 工作电源电压
- 4 V to 40 V, +/- 2 V to +/- 20 V
- 耗散功率（Pd）
- 725 mW
- 电压增益（dB）
- 123.52 dB
- 单件重量
- 0.002561 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。