Renesas Electronics
71V416S12PHGI
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- 71V416S12
- 封装
- TSOP-44
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 存储容量
- 4 Mbit
- 存储组织结构
- 256 k x 16
- 访问时间
- 12 ns
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 3～3.6 V
- 电源电流（最大值）
- 180 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 存储器类型
- SDR
- 湿敏性
- 是
- 类型
- Asynchronous
- 型号别名
- IDT71V416S12PHGI 71V416
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.122664 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。