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ON Semiconductor

FFSB0465A

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 4 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 18 A, 38 A, 360 A,采用 TO-263-2L-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ON Semiconductor
产品类别
二极管
封装
TO-263-2L-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
产品
Schottky Silicon Carbide Diodes
正向电流(If)
4 A
重复反向电压(Vrrm)
650 V
正向电压(Vf)
1.5 V
正向浪涌电流(Ifsm)
18 A, 38 A, 360 A
配置
Single
技术
碳化硅(SiC)
反向电流(Ir)
200 mA
工作温度范围
-55~175 °C
耗散功率(Pd)
63 W

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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