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ROHM Semiconductor

TLR1901GXZ-E2

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大双电源电压 2.75 V、最小双电源电压 850 mV、每通道输出电流 4 mA,采用 XCSP30L1-5 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
运算放大器
封装
XCSP30L1-5
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

22 项参数
通道数
1 个通道
增益带宽积(GBP)
400 Hz
压摆率(SR)
300 mV/us
输入失调电压(Vos)
10 uV
输入偏置电流(Ib)
500 fA
电源电压范围
1.7~5.5 V
工作电源电流
160 nA
每通道输出电流
4 mA
共模抑制比(CMRR)
60 dB
关断功能
No Shutdown
工作温度范围
-40~85 °C
放大器类型
CMOS Operational Amplifier
展开更多参数(10 项)
原产国家或地区
日本
输入类型
Rail to Rail
输入失调电流(Ios)
0 pA
最大双电源电压
2.75 V
最小双电源电压
850 mV
输出类型
Rail to Rail
产品
Operational Amplifiers
电源抑制比(PSRR)
100 dB
商品名称
Nano Energy
共模电压(Vcm)
3 V

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TLR1901GXZ-E2 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技