STMicroelectronics
STL12N65M2
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、栅源电压（Vgs） 25 V，采用 PowerFLAT-5x6-HV-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- STL12N65M2
- 封装
- PowerFLAT-5x6-HV-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 栅源电压（Vgs）
- 25 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 商品名称
- MDmesh
- 产品
- Power MOSFET
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。