GSI Technology
GS881Z18CD-200
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 BGA-165 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- GSI Technology
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- GS881Z18CD
- 封装
- BGA-165
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 存储容量
- 9 Mbit
- 存储组织结构
- 512 k x 18
- 访问时间
- 6.5 ns
- 最大时钟频率
- 200 MHz
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 2.3～3.6 V
- 电源电流（最大值）
- 130 mA, 155 mA
- 工作温度范围
- 0～70 °C
- 存储器类型
- SDR
- 类型
- NBT Pipeline/Flow Through
- 湿敏性
- 是
- 商品名称
- NBT SRAM
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。