Infineon Technologies
F4-75R06W1E3
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、25°C 时连续集电极电流 100 A、最小工作温度 - 40 C，采用 EASY1B 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- EASY1B
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
12 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Quad
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 600 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 100 A
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 高度
- 12 mm
- 长度
- 62.8 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 33.8 mm
- 最大栅射电压
- 20 V
- 型号别名
- F475R06W1E3BOMA1 SP000257413
- 单件重量
- 0.846575 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。