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Infineon Technologies

BCW 66KG E6327

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 0.8 A,采用 SOT-23-3 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
产品系列
BCW66
封装
SOT-23-3
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
45 V
集电极-基极电压(VCBO)
75 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
最大直流集电极电流
0.8 A
增益带宽积(fT)
170 MHz
工作温度范围
-65~150 °C
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
耗散功率(Pd)
500 mW
展开更多参数(2 项)
型号别名
BCW66KGE6327HTSA1 BCW66KGE6327XT SP000271904
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BCW 66KG E6327 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技