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ROHM Semiconductor

BA12003DF-ZE2

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Array 7、晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、最小直流电流增益(hfe) 1000,采用 SOP-J16A 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
封装
SOP-J16A
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

5 项参数
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO)
60 V
工作温度范围
-40~85 °C
最小直流电流增益(hfe)
1000

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BA12003DF-ZE2 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技