ROHM Semiconductor
DTC114TU3HZGT106
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100 at 1 mA, 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-323-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 10 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100 at 1 mA, 5 V
- 最大工作频率
- 250 MHz
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
展开更多参数（2 项）
- 认证等级
- AEC-Q101
- 型号别名
- DTC114TU3HZG
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。