IDT
71V65703S80BQG
主要参数包括存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Synchronous，采用 CABGA-165 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- IDT (Integrated Device Technology)
- 品牌
- IDT
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- 71V65703S80
- 封装
- CABGA-165
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 存储容量
- 9 Mbit
- 存储组织结构
- 256 k x 36
- 访问时间
- 8 ns
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 3.135～3.465 V
- 电源电流（最大值）
- 250 mA
- 工作温度范围
- 0～70 °C
- 高度
- 1.2 mm
- 长度
- 15 mm
- 存储器类型
- SDR
- 类型
- Synchronous
- 宽度
- 13 mm
展开更多参数（2 项）
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 71V65703 IDT71V65703S80BQG
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。