Renesas Electronics
70V3579S5BCGI
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SRAM、类型 High Speed，采用 BGA-256 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- 70V3579
- 封装
- BGA-256
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
12 项参数- 存储容量
- 1 Mbit
- 存储组织结构
- 32 k x 36
- 访问时间
- 5 ns
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 3.15～3.45 V
- 电源电流（最大值）
- 415 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 存储器类型
- SRAM
- 湿敏性
- 是
- 类型
- High Speed
- 型号别名
- IDT70V3579S5BCGI 70V3579
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。