ROHM Semiconductor
RGTH60TK65GC11
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 28 A，采用 TO-3PFM 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-3PFM
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 650 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.6 V
- 最大栅射电压
- 30 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 28 A
- 耗散功率（Pd）
- 61 W
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 栅射漏电流
- 200 nA
- 型号别名
- RGTH60TK65
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。