ROHM Semiconductor
RFN1VWM2STR
该型号为二极管，主要参数包括产品 Ultra Fast Recovery Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 20 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 25 ns，采用 PMDE-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 封装
- PMDE-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
11 项参数- 产品
- Ultra Fast Recovery Diode
- 峰值反向电压
- 200 V
- 最大浪涌电流
- 20 A
- 正向电流（If）
- 1 A
- 配置
- Single
- 恢复时间
- 25 ns
- 正向电压（Vf）
- 930 mV
- 反向电流（Ir）
- 1 uA
- 最大工作温度
- + 175 C
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 型号别名
- RFN1VWM2S
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。