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Bourns

TISP4125M3BJR-S

主要参数包括转折电压(VBO) 125 V、最大转折电流(IBO) 600 mA、非重复通态电流 30 A, 32 A、额定重复断态电压(VDRM) 100 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 350 mA,采用 DO-214AA-2 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Bourns
产品类别
Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)
产品系列
TISP4xxxM3BJ
封装
DO-214AA-2
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
E

技术参数

12 项参数
转折电压(VBO)
125 V
最大转折电流(IBO)
600 mA
非重复通态电流
30 A, 32 A
额定重复断态电压(VDRM)
100 V
VDRM 下断态漏电流(IDRM)
5 uA
最大维持电流(Ih)
350 mA
通态电压
3 V
断态电容(CO)
21 pF to 62 pF
工作温度范围
-40~85 °C
额定电流
5 A
商品名称
TISP
单件重量
0.003386 oz

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TISP4125M3BJR-S 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技