Toshiba
RN1105MFV,L3XHF(CT
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80 at 10 mA, 5 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VESM-3 封装。
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基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- VESM-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
13 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 2.2 kOhms
- 典型电阻比
- 0.0468
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80 at 10 mA, 5 V
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- TH
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 认证等级
- AEC-Q200
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- RN1105MFV,L3XHF(CB
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。