IXYS
IXBF32N300
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 3 kV、集电极－发射极饱和电压 2.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 40 A，采用 ISOPLUS-i4-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- Very High Voltage
- 封装
- ISOPLUS-i4-3
- 安装方式
- 通孔安装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 3 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.8 V
- 最大栅射电压
- 20 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 40 A
- 耗散功率（Pd）
- 160 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 40 A
- 高度
- 21.34 mm
- 长度
- 20.29 mm
- 宽度
- 5.21 mm
展开更多参数（3 项）
- 栅射漏电流
- +/- 100 nA
- 商品名称
- BIMOSFET
- 单件重量
- 0.229281 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。