ChipSourceHub 美芯科技

Microchip Technology

MCP6N11T-010E/MNY

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8~5.5 V、增益带宽积(GBP) 5 MHz、共模抑制比(CMRR) 81 dB、输入偏置电流(Ib) 10 pA、输入失调电压(Vos) 0.5 mV,采用 TDFN-8 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Microchip
品牌
Microchip Technology
产品类别
Instrumentation Amplifiers
封装
TDFN-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
通道数
1 个通道
增益带宽积(GBP)
5 MHz
共模抑制比(CMRR)
81 dB
输入偏置电流(Ib)
10 pA
输入失调电压(Vos)
0.5 mV
工作电源电流
800 uA
工作温度范围
-40~125 °C
带宽
500 kHz
产品
Instrumentation Amplifiers
电压增益(V/V)
10 V/V
工作电源电压
1.8~5.5 V
电源抑制比(PSRR)
81 dB
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.001764 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MCP6N11T-010E/MNY 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技