ROHM Semiconductor
DTB543EE3TL
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-416-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-416-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 4.7 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 115 at - 100 mA, - 2 V
- 最大工作频率
- 260 MHz
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 300 mV
- 连续集电极电流
- - 500 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 2.5 V
展开更多参数（2 项）
- 输出电压
- - 60 mV
- 型号别名
- DTB543EE3
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。