Linear Integrated Systems
LS5912C-TO-71-6L-BK
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、漏源击穿电压（Vds） - 25 V、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V、栅源截止电压 - 5 V，采用 TO-71-6 封装。
基本资料
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- Linear Integrated Systems
- 产品类别
- JFETs
- 产品系列
- LS5911
- 封装
- TO-71-6
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Dual
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 25 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 25 V
- 栅源截止电压
- - 5 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 40 mA
- 连续漏极电流（Id）
- 5 mA
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 正向跨导（最小值）
- 7000 uS
展开更多参数（2 项）
- 最大漏栅电压
- 10 V
- 单件重量
- 0.013757 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。