ROHM Semiconductor
US6T4TR
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- US6T4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 12 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 15 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 增益带宽积（fT）
- 280 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 270 at 500 mA, 2 V
- 高度
- 0.77 mm
- 长度
- 2 mm
- 宽度
- 1.7 mm
展开更多参数（3 项）
- 最小直流电流增益（hfe）
- 270
- 耗散功率（Pd）
- 1000 mW
- 型号别名
- US6T4
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。