MACOM
CGH55015F2
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 4.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。
基本资料
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- MACOM
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- 440166
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 120 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.5 A
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 美国
- 增益
- 12 dB
- 最大工作频率
- 6 GHz
- 最小工作频率
- 4.5 GHz
- 输出功率
- 10 W
- 产品
- GaN HEMTs
展开更多参数（4 项）
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 单件重量
- 0.017637 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。