IXYS
IXTY18P10T-TRL
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 TrenchP、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 15 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-252-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- TO-252-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 产品
- Power MOSFET Modules
- 类型
- TrenchP
- 栅源电压（Vgs）
- 15 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 晶体管极性
- P-Channel
- 下降时间
- 22 ns
- 连续漏极电流（Id）
- - 18 A
- 耗散功率（Pd）
- 83 W
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 120 mOhms
- 上升时间
- 26 ns
- 商品名称
- TrenchP
展开更多参数（4 项）
- 典型关断延迟时间
- 44 ns
- 典型导通延迟时间
- 19 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 100 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 4.5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。