ON Semiconductor / Fairchild
ISL9R860S3ST
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 100 A、正向电流（If） 8 A、配置 Single、恢复时间 30 ns，采用 TO-263AB 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- ISL9R860S3ST
- 封装
- TO-263AB
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 峰值反向电压
- 600 V
- 最大浪涌电流
- 100 A
- 正向电流（If）
- 8 A
- 配置
- Single
- 恢复时间
- 30 ns
- 正向电压（Vf）
- 2.4 V
- 反向电流（Ir）
- 100 uA
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 高度
- 4.83 mm
- 长度
- 10.67 mm
- 类型
- Switching Diode
- 宽度
- 9.65 mm
展开更多参数（4 项）
- 商品名称
- STEALTH
- 反向电压（Vr）
- 600 V
- 型号别名
- ISL9R860S3ST_NL
- 单件重量
- 0.046296 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。