ON Semiconductor / Fairchild
FDMB3900AN
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 MicroFET-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- FDMB3900AN
- 封装
- MicroFET-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 25 V
- 连续漏极电流（Id）
- 7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 23 mOhms
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.6 W
- 配置
- Dual
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- PowerTrench
- 高度
- 0.8 mm
展开更多参数（4 项）
- 长度
- 3 mm
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 宽度
- 1.9 mm
- 单件重量
- 0.000002 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。