Microchip / Microsemi
2N3507AU4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-39-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.5 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 175
- 连续集电极电流
- 3 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 35
展开更多参数（1 项）
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。