ON Semiconductor / Fairchild
MOC212R2M
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MOC212M
- 封装
- SOIC-Narrow-8
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 60 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 30 V
- 最大集电极电流
- 150 mA
- 隔离电压
- 2500 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.4 V
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（5 项）
- 高度
- 3.43 mm
- 长度
- 5.13 mm
- 宽度
- 4.16 mm
- 型号别名
- MOC212R2M_NL
- 单件重量
- 0.008889 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。