Diodes Incorporated
DMN62D1SFBW-7B
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 538 mA、漏源导通电阻（Rds On） 1.4 Ω，采用 X2-DFN1006-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFETs
- 封装
- X2-DFN1006-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 60 V
- 连续漏极电流（Id）
- 538 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.4 Ω
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.3 V
- 栅极电荷（Qg）
- 1.4 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
- 通道模式
- Enhancement
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- 原产国家或地区
- 中国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。