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GSI Technology

GS882Z36CB-250IV

主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR,采用 BGA-119 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
GSI Technology
产品类别
SRAM
产品系列
GS882Z36CB
封装
BGA-119
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
托盘

技术参数

12 项参数
存储容量
9 Mbit
存储组织结构
256 k x 36
访问时间
5.5 ns
最大时钟频率
250 MHz
接口类型
Parallel
电源电压范围
1.7~2.7 V
电源电流(最大值)
160 mA, 200 mA
工作温度范围
-40~85 °C
存储器类型
SDR
类型
NBT
湿敏性
是
商品名称
NBT SRAM

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GS882Z36CB-250IV 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技