Central Semiconductor
PN3569
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.25 V,采用 TO-92-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- PN35
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合(来源记录)
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 40 V
- 集电极-基极电压(VCBO)
- 80 V
- 发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
- 集电极-发射极饱和电压
- 0.25 V
- 最大直流集电极电流
- 0.5 A
- 增益带宽积(fT)
- 600 MHz
- 工作温度范围
- -55~150 °C
- 高度
- 5.33 mm
- 长度
- 5.21 mm
- 宽度
- 4.19 mm
展开更多参数(4 项)
- 连续集电极电流
- 0.45 A
- 耗散功率(Pd)
- 625 mW
- 型号别名
- PBFREE PN3569
- 单件重量
- 0.016000 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。
