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Central Semiconductor

PN3569

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.25 V,采用 TO-92-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
PN35
封装
TO-92-3
安装方式
通孔安装
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
40 V
集电极-基极电压(VCBO)
80 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大直流集电极电流
0.5 A
增益带宽积(fT)
600 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
展开更多参数(4 项)
连续集电极电流
0.45 A
耗散功率(Pd)
625 mW
型号别名
PBFREE PN3569
单件重量
0.016000 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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